Надо отдать должное инженерам IBM. Они сумели перейти к работе после празднования 100-летнего юбилея корпорации, и объявить о новом изобретении. На этот раз это новый вид памяти на основе фазового перехода (PCM). Скорость чтения и записи в 100 раз быстрее, чем у флэш-памяти, выдерживает несколько миллионов циклов записи (у flash в среднем – 100 тысяч), да и цена прогнозируется достаточно низкая, что даст возможность использовать технологию в большом диапазоне устройств: от серверов с высокой нагрузкой, до мобильных телефонов.
Технология основана на специальных сплавах, которые могут быть переведены в разные физические состояния, или фазы, при помощи контролируемых всплесков электроэнергии. В прошлом, серьезной проблемой было то, что в нитях сплава, находящихся в ячейках ослаблялось натяжение, и, как следствие, увеличивалось электрическое сопротивление самих нитей, что приводило к ошибкам в чтении и записи информации. Еще одним недостатком технологии было то, что каждая ячейка сплава могла хранить только один бит данных, но сотрудники IBM преодолели эту проблему: последний представленный вариант не только более надежный, но и может хранить четыре бита данных в одной ячейке. Скорость работы накопителя, основанного на этой технологии, будет поразительной, к тому же не стоит забывать об обещании Intel – выпустить 50Gbps интерфейс к 2015 году.
