Пока компания объявила лишь о производстве 512 Мбитных чипов по новой технологии. Чем интересна эта технология? Она должна позволить сделать память сочетающую скорость DRAM и энергонезависимость флешек.

Технология работает по принципу смены фазового состояния вещества (P — phase). Если в кратце — проводник находится либо в амофрном, либо в кристалообразном состоянии (и переходит при необходимости из одного в другое). В разных состояних сильно отличается сопротивление — это интерпретируется как 1 и 0. А большего как известно и не надо. Разве что, чтоб состояния умел менять быстро и считать чтоб можно было это еще быстрее.
(в русской википедии нет пока, зато есть в http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory)

Потенциально это должно привести к унификации памяти — должно исчезнуть разделение памяти на оперативную и постоянную. Однако пока показатели весьма скромные — скорость перезаписи по сравнению с флеш памятью «приблизительно в 7 раз быстрее на сегментах памяти в 5 мегабайт». С какой памятью сравнивают — не понятно. Почему 5Mb — для меня тоже не ясно. В общем думаю реально можно рассчитывать на прирост в 2-3 раза по сравнению со средними сегодняшними флешками. Ну а замена оперативной, при таких показателях… Подождем. :)

Но все равно событие знаковое. Не часто появляется память, работающая по новому принципу. Это лишь первая ласточка, которая уже умеет летать. Остается надеяться что она станет быстрее, выше, сильнее.