Дорогостоящая электроника космических кораблей и спутников подвергается постоянному воздействию ионизирующей радиации и высокоэнергетических космических лучей. Недавнее открытие, сделанное международной командой ученых, позволит существенно снизить стоимость «космической электроники», повысив ее защищенность от космических лучей.
Нитрид галлия (GaN) – многообещающий полупроводниковый наноматериал для электроники, так как полупроводниковые структуры на его основе устойчивы к ионизирующей радиации.
Как установили ученые из Молдовы, России и США, нанотехнологически модифицированный нитрид галлия обладает еще более высокой устойчивостью к ионизирующему излучению.
Как сообщает Nanotechweb, Йон Тигиняну (Ion Tiginyanu) из Академии Наук Молдовы ученые из Объединенного института ядерных исследований в Дубне и специалисты из университета Вирджинии обработали пластину GaN мощным ультрафиолетовым излучением в среде гидрооксида калия. В результате на поверхности образовалась матрица нанопирамидок, которая позволила GaN-наноструктуре выдерживать вдесятеро большую ионизирующую радиацию.
Эксперименты ученые проводили с ионами 85 и 130 МэВ на циклотроне в Лаборатории ядерных реакций имени Г.Н. Флерова в Дубне.
Как полагают разработчики, новый материал позволит делать различные электронные приборы для их использования в экстремальных условиях. Например, датчики и электронику спутников и приборы другой аэрокосмической техники.
Ссылка на источник: rnd.cnews.ru/tech/news/top/index_science.shtml?2007/05/22/251222
