Ха, приложение на мак не до конца поставилось!
Да несколько лет назад, без допотопного activex и internet explorer 9 половина сайтов с идентификацией личности (то есть 90% корейских сайтов, ибо интернет тут по паспорту) не работала.
И до сих пор, чтобы избежать головной боли при покупках и банковских операциях: только эксплорер, только хардкор.
Это вам ещё повезло, что не нарвались на проблемы с несоответствием имени, написанного в одном месте хангылем, а в другой латиницей, но слитно с фамилией и без пробелов :))
Я понимаю, что обзор Вы вряд ли сами писали, но для человека, который пытается объяснить технологию популярно довольно странно делать ляп с ТСМСишой ТЕМ картинкой: на ней фины порезанный поперёк и 8 нм — это "ширина" канала, а не его длина (которая как раз когда-то давно и обозначала поколение технологии).
Если бы Вы удосужились найти картинку с разрезом вдоль транзистора, вы бы увидели, что длина канала наномертов 15, а всего транзистора — нанометров 60 примерно. Ширина же финов мало меняется с поколением последние годы (примерно с 10 нм у foundry компаний): 10,8,7,6,5 нм — все эти технологии имеют практически одинаковые толщины.
Вы правы, сложно разделить размеры: физическую минимальную длину канала одного транзистора (которая уже почти не меняется), число финов в транзисторе (то есть эффективную ширину), расстояние между финами и расстояние между гейтами.
Там что реально транзистор у тайваньцев может быть и одним и тем же, а игра вестись вокруг fin-to-fin pitch и contacted poly pitch.
Но обычно по нынешним временам еще активно меняют рецепты и всякие структурные параметры: размеры спейсеров и тп.
То ли еще будет, когда (и если) следующая архитектура выйдет: там параметров еще больше и как плотность считать (и как ее сравнить с финами) еще менее понятно.
Арсенид галлия и прочие 3-5 не взлетят потому что окно возможностей было упущено. Эти материалы могли бы помочь на 100 нм, когда канал транзистора был не баллистическим. Теперь гораздо важнее не подвижность, а чисто состояний (которое у всех материалов с высокой подвижностью как раз низкое).
Материалы как раз будут меняться, но не материал подложки, естественно.
Но в материалах как раз есть перспективы — чтобы сделать ту же nanowire рабочим вариантом надо решить много именно материаловедческих проблем.
Очень хорошо написанная статья, но все же пассаж про «ширину плавника» в 8 нм и ее связь с нормами производства просто глаз резанула, особенно на фоне хорошего уровня остального текста.
Толщина фина берется просто из соображений оптимизации транспорта (квантового) в канале и из соображений механический прочности и к нормам технологии уж совсем никакого отношения не имеет: маски-то с таким маленьким питчем там и в помине нет.
Ну в той статье, неплохой кстати, это место было вообще не в тему: ширина фина к нормам производства и плотности транзисторов не имеет отношения (вернее имеет, но очень сложное): она определяется ограничениями, связанными с квантовой физикой (которая определяет распределения плотоности тока в канале в таким маленьких системах) и механическими свойствами: фин надо делать повыше, но если он слишком тонок, он просто сломается.
Про литографию, немного странно: 193 нм используют уже много лет, скорее бы стоило написать, что она иммерсионная и с четырехкратным экспонированием.
И, конечно, не переход к EUV позволил улучшить характеристики транзисторов, а просто набор performance knobs: различных приемов оптимизации структур, распределений стресса и примесей и тп.
EUV дает чисто финансовый плюс: можно вместо сложной многократной экспозиции сделать все за один раз. Но процесс крайне медленный и дорогой, так что пока не ясно, войдет ли он в технологию действительно, хотя и тайваньцы и корейцы и американцы делают на него ставку.
Один вопрос: какой там throughput?
я так подозреваю, что очень небольшой, а даже для EUVL уже добились десятков «вафель» в час.
Для университетов и мелких стартапов, где людям надо сделать что-то относительно тонкое «на коленке» это, конечно, интересно, но для индустрии — не очень…
Боюсь, что сейчас начнется очередной виток ценовой войны, так что цены будут падать гораздо быстрее.
Уже сегодня 256 гб стоят около 150 долларов, и если Самсунговская технология действительно взлетит (а так, скорее всего и выйдет), то конкуренты подтянутся а 2015 году, и я думаю, что через год-полтора цены упадут в 2-2.5 раза, к сожалению.
Хитрость этой технологии в том, что она действительно 3Д — транзисторы расположены не в плоскостях, а вертикально. Это и позволяет экономить при производстве: один литографический процесс создает сразу 24-32-… транзистора, а не один, как если бы делались стеки плоских слоев с ячейками памяти.
Я думаю, там 2-3 бита на ячейку (как у всех), а больший физический размер каждой ячейки делает их более надежными.
Все остальное упирается в контроллер — а это тоже, как у всех.
Пока без комментария, там очень много вариантов и все очень секретно.
Я постараюсь на неделе почитать опубликованную литературу и написать обзор по открытым данным.
TSV это просто, условно, провода, которые соединяют микросхемы, но идут не от края чипа, как обычно, а через него. Они толстые (микроны) и у них aspect ratio порядка 10+. В вертикальных NAND размеры нанометровые.
Достижение в том, что это радикальная смена дизайна ячейки, который мало менялся за последние 20 лет.
Да, примерно так.
Если раньше был огромный ящик с бутылками, то его сначала разделили на секции 24*24, и каждую из них поставили на попа и придвинули друг к другу.
Только из-за того, что это не Floating gate, а charge trap flash, вместе бутылок в ящиках консервные банки (и ящики из-за этого низкие), поэтому они стали занимать гораздо меньше места после такой операции.
Да, представляю. Тепло не является лимитирующим фактором. Все прекрасно отводится. Слоев 24 не потому что греется, а потому что дырки травить сложно и дорого.
В PRAM ячейка вообще плавится при переключении, и ничего, все работает (хотя технология и мертворожденная).
В NVM проблема тепловыделения не стоит так остро, потому что нет постоянного переключения, как в SRAM, DRAM или логике.
Есть прототипы сверхнадежных SSD, которые «лечат» сами себя, проводя отжиг отдельных блоков при температурах около 200 С (отжигают часами). Лимитирует тут только температура плавления припоя — сами ячейки будут жить и и при гораздо больших температурах (см. ссылку выше)
Нет, вы не совсем правильно понимаете: TSV процесс подразумевает соединение нескольких подложек, на каждой из которых сделан свой слой транзисторов (пямять, логика, и тп).
Принципиальное отличие Vetrical NAND в том, что трехмерная структура делается из одной подложки.
Ну и характеристики дырок, которые делаются (диаметр, aspect ratio) несколько разные.
Кроме того, если говорить о V NAND, то в нем транзисторы расположены горизонтально, а не вертикально, как было бы при интеграции обычным TSV методом.
Полупроводниковых.
В 2011 году Интел представил по-настоящему трехмерный логический транзистор, но даже по сравнению с этим Vertical NAND, на мой взгляд, более инновационное изменение техпроцесса.
Да ладно, чтобы уж совсем прямые и тоннель/мост это только новые дороги в сторону
японскоговосточного моря.Ха, приложение на мак не до конца поставилось!
Да несколько лет назад, без допотопного activex и internet explorer 9 половина сайтов с идентификацией личности (то есть 90% корейских сайтов, ибо интернет тут по паспорту) не работала.
И до сих пор, чтобы избежать головной боли при покупках и банковских операциях: только эксплорер, только хардкор.
Это вам ещё повезло, что не нарвались на проблемы с несоответствием имени, написанного в одном месте хангылем, а в другой латиницей, но слитно с фамилией и без пробелов :))
Я понимаю, что обзор Вы вряд ли сами писали, но для человека, который пытается объяснить технологию популярно довольно странно делать ляп с ТСМСишой ТЕМ картинкой: на ней фины порезанный поперёк и 8 нм — это "ширина" канала, а не его длина (которая как раз когда-то давно и обозначала поколение технологии).
Если бы Вы удосужились найти картинку с разрезом вдоль транзистора, вы бы увидели, что длина канала наномертов 15, а всего транзистора — нанометров 60 примерно. Ширина же финов мало меняется с поколением последние годы (примерно с 10 нм у foundry компаний): 10,8,7,6,5 нм — все эти технологии имеют практически одинаковые толщины.
Там что реально транзистор у тайваньцев может быть и одним и тем же, а игра вестись вокруг fin-to-fin pitch и contacted poly pitch.
Но обычно по нынешним временам еще активно меняют рецепты и всякие структурные параметры: размеры спейсеров и тп.
То ли еще будет, когда (и если) следующая архитектура выйдет: там параметров еще больше и как плотность считать (и как ее сравнить с финами) еще менее понятно.
Материалы как раз будут меняться, но не материал подложки, естественно.
Но в материалах как раз есть перспективы — чтобы сделать ту же nanowire рабочим вариантом надо решить много именно материаловедческих проблем.
Толщина фина берется просто из соображений оптимизации транспорта (квантового) в канале и из соображений механический прочности и к нормам технологии уж совсем никакого отношения не имеет: маски-то с таким маленьким питчем там и в помине нет.
Ну в той статье, неплохой кстати, это место было вообще не в тему: ширина фина к нормам производства и плотности транзисторов не имеет отношения (вернее имеет, но очень сложное): она определяется ограничениями, связанными с квантовой физикой (которая определяет распределения плотоности тока в канале в таким маленьких системах) и механическими свойствами: фин надо делать повыше, но если он слишком тонок, он просто сломается.
Про литографию, немного странно: 193 нм используют уже много лет, скорее бы стоило написать, что она иммерсионная и с четырехкратным экспонированием.
И, конечно, не переход к EUV позволил улучшить характеристики транзисторов, а просто набор performance knobs: различных приемов оптимизации структур, распределений стресса и примесей и тп.
EUV дает чисто финансовый плюс: можно вместо сложной многократной экспозиции сделать все за один раз. Но процесс крайне медленный и дорогой, так что пока не ясно, войдет ли он в технологию действительно, хотя и тайваньцы и корейцы и американцы делают на него ставку.
я так подозреваю, что очень небольшой, а даже для EUVL уже добились десятков «вафель» в час.
Для университетов и мелких стартапов, где людям надо сделать что-то относительно тонкое «на коленке» это, конечно, интересно, но для индустрии — не очень…
Уже сегодня 256 гб стоят около 150 долларов, и если Самсунговская технология действительно взлетит (а так, скорее всего и выйдет), то конкуренты подтянутся а 2015 году, и я думаю, что через год-полтора цены упадут в 2-2.5 раза, к сожалению.
Я думаю, там 2-3 бита на ячейку (как у всех), а больший физический размер каждой ячейки делает их более надежными.
Все остальное упирается в контроллер — а это тоже, как у всех.
Я постараюсь написать обзор в ближайшее время по опубликованным данным.
Я постараюсь на неделе почитать опубликованную литературу и написать обзор по открытым данным.
Достижение в том, что это радикальная смена дизайна ячейки, который мало менялся за последние 20 лет.
Если раньше был огромный ящик с бутылками, то его сначала разделили на секции 24*24, и каждую из них поставили на попа и придвинули друг к другу.
Только из-за того, что это не Floating gate, а charge trap flash, вместе бутылок в ящиках консервные банки (и ящики из-за этого низкие), поэтому они стали занимать гораздо меньше места после такой операции.
В PRAM ячейка вообще плавится при переключении, и ничего, все работает (хотя технология и мертворожденная).
Есть прототипы сверхнадежных SSD, которые «лечат» сами себя, проводя отжиг отдельных блоков при температурах около 200 С (отжигают часами). Лимитирует тут только температура плавления припоя — сами ячейки будут жить и и при гораздо больших температурах (см. ссылку выше)
Принципиальное отличие Vetrical NAND в том, что трехмерная структура делается из одной подложки.
Ну и характеристики дырок, которые делаются (диаметр, aspect ratio) несколько разные.
Кроме того, если говорить о V NAND, то в нем транзисторы расположены горизонтально, а не вертикально, как было бы при интеграции обычным TSV методом.
В 2011 году Интел представил по-настоящему трехмерный логический транзистор, но даже по сравнению с этим Vertical NAND, на мой взгляд, более инновационное изменение техпроцесса.