Добрый день, Хабр!
Samsung поставила на поток производство модулей памяти LPDDR3 для мобильных устройств, которые обладают самым большим объемом (3 ГБ) среди конкурентов на рынке. Это стало известно на прошлой неделе: компания вновь оказалась «впереди планеты всей» в техническом и технологическом плане. В серийную штамповку ушли первые в индустрии трехгигабайтные образцы маломощной мобильной DRAM-памяти третьего поколения с удвоенной скоростью передачи данных. До настоящего времени самые современные смартфоны и планшеты базировались на 2 ГБ модулях… что ж, настало время для очередного рывка и смены стандартов.
В основе новых модулей мобильной DRAM-памяти лежат шесть 4-гигабитных LPDDR3 чипа, созданные по 20-нм тех. процессу и собранные воедино в симметричной структуре двух сетов по три чипа в каждом. Общая толщина получившейся «пачки» составляет всего 0,8 миллиметра. Новая ультратонкая память, несомненно, позволит будущим мобильным устройствам и дальше продолжать «худеть», освобождая больше места, например, под аккумулятор, ресурса которого вечно не хватает. Скорость передачи данных новой памяти при этом доходит до 2133 Мбит/сек на контакт.
Увеличение мощности мобильной DRAM позволит в полной мере развернуться в таких ресурсоемких процессах, как просмотр видео высокой четкости, многозадачность, игры и прочие медиа-радости. Кроме того, столь впечатляющие показатели скорости обработки данных новых модулей LPDDR3 внушают веру в то, что передовые стандарты мобильной связи 4G и LTE-A получат полноценную поддержку.
Новая 3-гигабайтная LPDDR3 DRAM соединяется с мобильным процессором приложений при помощи двух симметричных каналов передачи данных, каждый из которых подключен к части хранилища объемом 1,5 ГБ. Симметричная структура не только позволяет избежать потерь производительности, которые могут наблюдаться в несимметричных потоках данных, но и максимизировать производительность на системном уровне.
Учитывая, что емкость DRAM-памяти среднестатистического домашнего ПК составляет 4 ГБ, столь серьезный рывок в производительности мобильной оперативки позволит значительно сократить разрыв между возможностями ПК и мобильных устройств недалекого будущего.
Таким образом, Samsung теперь может предложить самый широкий спектр DRAM-памяти емкостью от 1 до 3 ГБ. Новые чипы памяти станут использоваться в самых современных смартфонах уже во втором полугодии 2013. С 2014 года они станут применяться в более широком перечне мобильных устройств.
Samsung поставила на поток производство модулей памяти LPDDR3 для мобильных устройств, которые обладают самым большим объемом (3 ГБ) среди конкурентов на рынке. Это стало известно на прошлой неделе: компания вновь оказалась «впереди планеты всей» в техническом и технологическом плане. В серийную штамповку ушли первые в индустрии трехгигабайтные образцы маломощной мобильной DRAM-памяти третьего поколения с удвоенной скоростью передачи данных. До настоящего времени самые современные смартфоны и планшеты базировались на 2 ГБ модулях… что ж, настало время для очередного рывка и смены стандартов.
В основе новых модулей мобильной DRAM-памяти лежат шесть 4-гигабитных LPDDR3 чипа, созданные по 20-нм тех. процессу и собранные воедино в симметричной структуре двух сетов по три чипа в каждом. Общая толщина получившейся «пачки» составляет всего 0,8 миллиметра. Новая ультратонкая память, несомненно, позволит будущим мобильным устройствам и дальше продолжать «худеть», освобождая больше места, например, под аккумулятор, ресурса которого вечно не хватает. Скорость передачи данных новой памяти при этом доходит до 2133 Мбит/сек на контакт.
Увеличение мощности мобильной DRAM позволит в полной мере развернуться в таких ресурсоемких процессах, как просмотр видео высокой четкости, многозадачность, игры и прочие медиа-радости. Кроме того, столь впечатляющие показатели скорости обработки данных новых модулей LPDDR3 внушают веру в то, что передовые стандарты мобильной связи 4G и LTE-A получат полноценную поддержку.
Новая 3-гигабайтная LPDDR3 DRAM соединяется с мобильным процессором приложений при помощи двух симметричных каналов передачи данных, каждый из которых подключен к части хранилища объемом 1,5 ГБ. Симметричная структура не только позволяет избежать потерь производительности, которые могут наблюдаться в несимметричных потоках данных, но и максимизировать производительность на системном уровне.
Учитывая, что емкость DRAM-памяти среднестатистического домашнего ПК составляет 4 ГБ, столь серьезный рывок в производительности мобильной оперативки позволит значительно сократить разрыв между возможностями ПК и мобильных устройств недалекого будущего.
Таким образом, Samsung теперь может предложить самый широкий спектр DRAM-памяти емкостью от 1 до 3 ГБ. Новые чипы памяти станут использоваться в самых современных смартфонах уже во втором полугодии 2013. С 2014 года они станут применяться в более широком перечне мобильных устройств.