За долгие годы работы специалисты LSI пришли к пониманию всей важности аналитики взаимодействия с NAND флэш-памятью для оптимизации производительности и увеличения времени ее жизнедеятельности. В связи с этим в компании создали группу, которая занимается изучением поведения NAND флэш и описанием особенностей взаимодействия с контроллерами LSI. Предлагаю вашему вниманию интервью с экспертом в этой области Биллом Хантом, главным инженером аналитического отдела, которое позволяет лучше понять, чем занимается группа.
Все ли NAND флэш одинаковы?
Конечно, нет. Спецификации NAND флэш, производительность и другие характеристики разнятся не толькоу разных производителей, они также отличаются и между моделями одного семейства. Зачастую разнятся даже чипы одной модели, произведенные в разное время, особенно на самых первых этапах и впоследствии. Порой, производители специально создают различные модели одного чипа, адресованные различным рынкам, например, для корпораций и пользовательских решений. Понимание разницы между типами NAND жизненно необходимо для построения эффективного решения.
Чем чипы NAND отличаются у разных производителей?
Существуют два «уровня» разницы между производителями чипов: различия, обусловленные разницей архитектуры, и различия между производителями, использующими одинаковую архитектуру. У производителей NAND с разным дизайном и производственным процессом отличия кардинальны. Они состоят в разной распиновке, требованиях к питанию, расположении блоков и страниц, схемах адресации, командах, процедурах восстановления при сбоях чтения и многом другом.
Некоторые производители используют схожие дизайны и производственные процессы. Но даже в этом случае, их продукция может иметь существенные операционные различия. Каждое устройство может иметь уникальные свойства, зависящие от настроек при производстве, команды, диагностики. Даже при использовании стандартных интерфейсов, таких как ONFI и Toggle, нет гарантии одинаковой работы. У каждого производителя есть своя интерпретация этих стандартов.
Каковы различия между чипами NAND разных поколений?
Уменьшение геометрии при производстве чипов требует новой архитектуры. Новая архитектура приводит к изменениям в работе и спецификациям устройства NAND. Самые большие изменения вызываются ростом плотности чипов памяти. Например, размер и расположение блоков и страниц должны изменяться, чтоб справиться с новой архитектурой и возрастающей емкостью. Поскольку ячейки памяти становятся меньше и плотнее, функции обработки ошибок также должны улучшаться. Растут требования к кодам коррекции ошибок (ECC) и резервным участкам. Также NAND должны адаптироваться к возрастающей скорости появления сбойных блоков. Скорость передачи данных и производительность каждого нового поколения также должна увеличиваться, чтоб удовлетворять потребности пользователей. Это приводит к изменениям в спецификациям тайминга интерфейса и добавлению новых функций. В целом, работоспособность NAND ухудшается по мере уплотнения геометрии, и критически важно понимать эти изменения для разработки более мощных и эффективных механизмов ECC.
Какие тесты проводятся в лаборатории флэш-аналитики LSI?
Лаборатория флэш-аналитики преследует две цели. Первая — мы интегрируем устройства NAND в SSD с контроллером LSI SandForce, чтобы убедиться в том, что они работают вместе. Вторая — мы испытываем устройства NAND, чтобы увидеть, как флэш-память работает на протяжении всего своего жизненного цикла. Мы проводим тестирования в разных рабочих режимах. Понимание поведения непосредственно чипов NAND критически важно для разработки решений с надежностью и производительностью, востребованными рынком.
Проводятся ли испытания флэш-памяти «за пределами» их паспортного жизненного цикла?
Да. Поставщики NAND не всегда делятся результатами и методиками их тестов на выносливость, поэтому мы вынуждены собирать эти данные самостоятельно. Обычно, мы проводим цикли записи/стирания до тех пор, пока уровень ошибок не достигнет очень большой величины, или случится фатальный сбой. Также мы измеряем и другие параметры, например, объемы резервирования. Понимать поведение памяти по мере старения просто необходимо для того, чтобы прогнозировать, как будут вести себя устройства в сценариях реального мира.
