Samsung
Компания
77,45
рейтинг
12 апреля 2013 в 13:33

Разное → Коротко о новом: Samsung запускает производство 3-битной MLC NAND памяти емкостью 128 Гбит на основе 10-нм техпроцесса

Samsung Electronics объявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с использованием 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле этого года. Высокоразвитый чип позволит эффективно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвастаться высоким уровнем производительности — скорость передачи данных составляет 400 МБ/с, а также поддержкой интерфейса Toggle DDR 2.0.

image

Благодаря новой разработке Samsung планирует расширять поставки фирменных карт памяти на 128 ГБ. Помимо этого, компания намерена наращивать производство твердотельных накопителей объемом более 500 ГБ, что должно ускорить процесс широкого внедрения твердотельных накопителей в компьютерные системы, а также позволит Samsung встать во главе процесса перехода с жестких дисков на твердотельные на рынке ноутбуков.

Спрос на высокопроизводительную 3-бит MLC NAND флэш-память емкостью 128 ГБ, равно как и на SSD-накопители объемом более 250 ГБ неизменно растет. В частности, очень востребованной за последние полгода стала серия Samsung SSD 840.

Samsung начала производство MLC NAND флэш-памяти на 64 Гбит 10-нм класса в ноябре прошлого года. Всего лишь пять месяцев спустя компания предлагает готовые чипы на 128 Гбит, которые еще больше расширяют ее линейку памяти высокой плотности. Новинка увеличит производительность более, чем в два раза по сравнению с 20-нм MLC NAND чипами на 64 Гбит, представленными еще в 2010 году.
Автор: @flyant
Samsung
рейтинг 77,45
Компания прекратила активность на сайте

Комментарии (37)

  • +5
    В заголовке — 128 Гбит, в теле — гигабайты. Как правильно то?
    • +1
      Правильно и там, и там.
      • –11
        Всегда считал, что GB (1024 Kb) отличается от Gb (1 000 000 byte). Судя по пресс-релизу, либо я не прав, либо им пофиг на обозначения.
      • +4
        Народ, чего минусуем-то? В одном случае речь шла о пропускной способности, а в другом о емкости носителя. Тот факт, что «одинаковая циферка» — просто совпадение, госпадебожемой.
        • +4
          Нет. В одном случае говориться о емкости чипа 128 Гбит, в другом — о емкости конечного устройства 128 ГБ. Т.е. в одном устройстве 8 чипов.
          • 0
            Человек выше об этом и сказал, нет?
            • 0
              Нет.
              • 0
                А в чём разница?
                • 0
                  Пропускная способной != емкость чипа.
    • +2
      Дабы развеять ваши сомнения, вот ссылка на официальный пресс-релиз:
      global.samsungtomorrow.com/?p=23621
    • +2
      >>128-gigabit (Gb)
      гигабит. Значит, на 16Гб чипы.
      • 0
        Utilizing 128Gb NAND flash memory, Samsung will expand its supply of 128-gigabyte (GB) memory cards…
        Так говорит Самсунг.
    • –4
      Объем измеряется гигабайтами же. Гигабит не единица измерения пропускной способности?
      • +6
        …Гигабит не единица измерения пропускной способности?
        Только если в единицу времени: «Гбит/с»
        • +1
          Мда. Бытовое «гигабит», по отношению к скорости интернета, настолько прочно вошло, что приставка «сек.» уже стерлась из мозга.
      • +4
        Я вас разочарую:
        Километр — НЕ единица измерения скорости.
        Ватт — НЕ единица измерения работы/потребления энергии.
        Бит — НЕ единица измерения пропускной способности.
        • +4
          И руками еще поплещите, для пущей трагичности =)
  • +6
    «10 nanometer (nm)-class* » из пресс-релиза означает не 10-нм техпроцесс, а какой-то техпроцесс из диапазона 10 нм — 19 нм ("*10nm-class means a process technology node somewhere between 10 and 20 nanometers.")
    • +2
      Глупый маркетинг. К тому же про «класс» в заголовке не указано, просто написали 10нм
      • +4
        Следующий шаг — маркетинговая сингулярность: 9 нм как «0 нм класс»:)
        • 0
          Вот очень интересно что они придумают в таком случае.
          Кажется они начали проталкивать эту идею с классами по той причине,
          что дальше будет сложновато двигаться хоть в сколь либо значительном темпе
          в сторону уменьшения техпроцесса.
          Не потому же, что они сами не могут точно сказать что за техпроцесс.
          Скрывают, значит что-то тут не чисто.
  • +1
    Владельцы хассельбладов ликуют ;)
  • 0
    А количество циклов перезаписи не заявлено? Как бы оно совсем маленьким не оказалось…
  • +5
    MCP-чипы (MCP – multi-chip package, мульти-чиповая упаковка) флэш-памяти NAND благодаря объединению сразу 2/4/8/16 элементов под одним корпусом. Таким образом, появляется возможность производства 128-гигабитных чипов, на основе которых на рынке появятся устройства, позволяющие хранить до 32/64/128/256 Гбайт информации в одном «чипе как на картинке»
  • 0
    Чем так сильно отличается флэш-память от прочих микросхем, что Интел с его монструозными технологическими мощностями сейчас едва осиливает 22нм CPU, а Самсунг готов поставлять микросхемы памяти на 1* нм уже сегодня? Понятно, что микросхема флеш-памяти по определению имеет более простую архитектуру, чем процессор, но разве это главный фактор?
    • +1
      А почему Вам этот фактор не кажется правдоподобным? Сравнивать процессор с памятью, что машину с телегой. У памяти гораздо проще схематика и блоки однородные. Если некоторое количество ячеек будет нерабочее, то их довольно легко можно отключить. А у процессора довольно разнородная структура, потому это сделать гораздо сложней. Вообще все новые техпроцессы обкатывали на обычных микросхемах DRAM памяти, которые считаются наиболее простыми в производстве.
    • 0
      Флеш отличается от DRAM памяти и логических микросхем большей регулярностью структуры. Вот слайд из презентации 2007 года от ведущего мирового производителя оборудования для фотолитографии, на котором приводятся схемы топологий, фотографии и развитие техпроцессов для 3 видов микросхем
      NAND, DRAM, LOGIC
      Слайд 2 из www.sematech.org/meetings/archives/litho/8373/pres/06-Flagello.pdf

      Стоит учитывать, что с введением EUV к 2011 году для flash они были слишком оптимистичны


      Оптическая литография для регулярных структур (наборы прямых линий), из которых состоит NAND флеш, проще чем для нерегулярных. Например, возможно применение двух масок, каждая из которых будет засвечивать только четные или только нечетные линии (Double patterning).

      Из-за этого новый техпроцесс сначала можно использовать для выпуска флеш-памяти, затем для DRAM-памяти, а позже всего — для логических микросхем.
      • 0
        SPIE: FAB Expectations spie.org/x30139.xml (2008)

        Due to the relative simplicity of the NAND layout, it has been possible to scale this type of memory device faster than DRAM or SRAM, resulting in different rates of feature size reduction and increasing bit density.

        In memory technology there is significant pressure to scale faster than logic devices due to intense competition and staggering reductions in average selling price per year (typically ~40%). As a result, in recent years the density for NAND flash chips has doubled every year, allowing a new variant of Moore's Law to appear, Hwang's Law, named after C.G. Hwang of Samsung Electronics.


        dx.doi.org/10.1117/12.920313 (2012):

        NAND flash technology node has shrunk below to 1x nm patterning with significant progresses of double patterning technology (DPT) and spacer patterning technology (SPT).
  • 0
    Может, глупый вопрос, но что значит 3-битный чип? каждая ячейка памяти может хранить не только бинарные значения 0/1, но ещё и значение 2?
    • 0
      Обычно в троичной логике состояния обозначают как "-1", «0», «1»
      А так да, три состояния. Если не ошибаюсь, такую память очень давно анонсировали, но то было «в лаборатории».
    • +1
      В пресс-релизе написали «3bit multi-level-cell», и это должно быть «Triple Level Cell» (TLC), когда каждая ячейка хранит три бита. Состояний не 3, а целых 8. Частный случай Multi-level cell, из которых чаще встречается вариант с двумя битами на ячейку (4 состояния). Вот статья в AnandTech www.anandtech.com/print/5067/understanding-tlc-nand в которой отмечают увеличенные задержки доступа к TLC по сравнению с двухбитными ячейками и дальнейшее уменьшение количества циклов перезаписи.
  • 0
    Почему прекратили разработку 3-х битных компьютеров?
    • 0
      имел ввиду троичный компьютер
      • 0
        Логика состояний «0» и «1» проще.
        А у логики «-1», «0», «1» производительность/количество транзисторов выше.
        • 0
          Просто на паре «Математическая логика и алгоритмы» говорилось, что если бы троичный комп. и сейчас развивали, то можно было добиться в 2-3 раза высшей мощности! Это правда?
          • 0
            Троичная логика
            Троичный_компьютер

            (
            Выдержки:
            1. Наибольшей плотностью записи информации обладает система счисления с основанием равным основанию натуральных логарифмов, то есть равным числу Эйлера (е=2,71…).
            2. При сложении тритов в троичных полусумматорах и в троичных сумматорах количество сложений приблизительно в 1,5 раза меньше, чем при сложении битов в двоичных полусумматорах и в двоичных сумматорах, и, следовательно, быстродействие при сложении приблизительно в 1,5 раза больше
            )

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.

Самое читаемое Разное