Samsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV

    Добрый вечер, Хабр!

    Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.



    Запуск массового производства модулей 3D TSV знаменует собой начало новой вехи в истории технологий памяти; напомним, что последней важной разработкой Samsung в этой области стала флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND), впервые представленная в прошлом году. В то время как технология 3D V-NAND основывается на высоких вертикальных структурах массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV — это инновационная технология построения пакетов, позволяющая соединять между собой вертикальные слои кристаллов.

    Для создания пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины в несколько десятков микронов, после чего в кристаллах проделываются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой посредством электродов, которые пропускаются через эти отверстия. В результате, новый модуль 3D TSV имеет в два раза большую производительность и вдвое меньшее энергопотребление по сравнению с модулем, построенным на базе проводной обвязки кристаллов.

    В ближайшем будущем Samsung планирует связывать между собой более четырех кристаллов DDR4, используя технологию 3D TSV, чтобы создавать DRAM модули более высокой плотности. Это позволит ускорить расширение решений для рынка памяти класса премиум и, соответственно, переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов.

    Samsung усиленно работает над улучшением технологии 3D TSV с 2010 года, когда были впервые разработаны модули 8 ГБ DRAM RDIMM класса 40 нм. В этом году, Samsung стала использовать новую систему производства пакетов TSV, предназначенную для массового производства новых серверных модулей.
    Samsung 78,29
    Компания
    Поделиться публикацией
    AdBlock похитил этот баннер, но баннеры не зубы — отрастут

    Подробнее
    Реклама
    Комментарии 18
    • 0
      емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит.


      36*4*4/8 = 72

      где-то ошибка в цифрах
      • 0
        Видимо состоит из 32 модулей. Тогда 64 получается
        • +10
          Может быть там ECC?
          • +2
            Кстати скорее всего так и есть, моя ошибка.
            С другой стороны обычно дополнительная память под ECC не входит в декларируемый объем чипа.
            • +2
              Всё верно, чипов 36, а декларируемой памяти 64, а не 72
            • +2
              4 * 4 * 36 = 4 * 4 * 4 * 9 = 576
              Воистину ECC.
            • +6
              Каждый четвертый байт — високосный.
            • 0
              Самсунг снова со своими «техпроцесса класса 20 нм» :) Вводят в заблуждение почетную публику. Наверняка это 28 или 32 нанометра.
              Но это пожалуй единственное замечание, все остальное — восторг.
              TSV это очень круто. Скорее бы уже графику сразу, при помощи TSV, лепили к процессору. Или, например, те же DDR4. Получаем память медленнее чем кеш, но быстрее чем просто DDR.
              • +2
                За термопакет не вылезем? Охлаждать кубик труднее, чем пластину.
                • +1
                  так можно наверное память «набутербродить» снизу, плюс такая интеграция один фиг удел чего-то достаточно холодного.
                  • 0
                    Видимо они как-то это решили.
                    В любом случае, будущее за TSV.
                  • +2
                    Техпроцесс в изготовлении памяти (как RAM, так и NAND / NOR) давно ушел ниже техпроцесса изготовления процессоров, так как однообразные повторяющиеся элементы проще создавать. К примеру, SSD уже делают по 15-16нм технологии. Не вижу причин не доверять Samsung
                    • +1
                      Речь не об этом. Разумеется, что любой новый тех процесс сперва обкатывается на регулярных структурах, и память это регулярная структура.
                      Мой комментарий собственно про то, что Самсунг не называет вещи своими именами. Не «класса 20нм», а по технологическим нормам ХХ нм. Почему ХХ? Потому, что тут ни слова о том, какой именно тех процесс был использован.
                      Что такое тех процесс 20 нм класса? Так и 64 нм это тоже тех процесс 20 нм класса, числа то одного порядка.
                  • 0
                    А сегодня выходит X99S SLI Plus с 8ю слотами DDR4 (8х64 = 512)…

                    Однозначно хочу себе такое. Не знаю зачем и что я буду с этим делать, но хочу =)
                    • +2
                      Цена где?
                      • 0
                        скоро мат платы будут с двух сторон пичкать)
                        • +3
                          И на фото прямо в центре красуется большой белый знак «Осторожно, кипятильник!»
                          • 0
                            Где-то я это уже видел четверть века назад…

                            image

                            Этажерочный микромодуль.

                            Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.

                            Самое читаемое