Реверс-инжиниринг TL431, крайне распространенной микросхемы, о которой вы и не слышали

http://www.righto.com/2014/05/reverse-engineering-tl431-most-common.html
  • Перевод
Кен, как и планировал, провёл реверс-инжиниринг микросхемы по фотографиям, сделанным BarsMonster. Барс в статье упомянул своё общение с Кеном, но этой переводимой статьи тогда еще не было.

Фото кристалла интересной, но малоизвестной, микросхемы TL431, используемой в блоках питания, даёт возможность разобраться в том, как аналоговые схемы реализуются в кремнии. Несмотря на то, что схема на фото выглядит как какой-то лабиринт, сама микросхема относительно проста, и может быть исследована без большого труда. В своей статье я попытаюсь объяснить каким образом транзисторы, резисторы и другие радиодетали запакованы в кремний для выполнения своих функций.


Фото кристалла TL431. Оригинал Zeptobars.

TL431 является «программируемым прецизионным источником опорного напряжения» [1] и обычно используется в импульсных источниках питания для реализации обратной связи в случае, когда выходное напряжение слишком велико или, наоборот, мало. Используя участок цепи, называемый бандгапом (источник опорного напряжения, величина которого определяется шириной запрещённой зоны), TL431 предоставляет стабильный источник опорного напряжения в широком температурном диапазоне. На блок-схеме TL431 видны 2.5-вольтовый источник опорного сигнала и компаратор, но, глядя на фото кристалла, можно заметить, что внутреннее устройство микросхемы отличается от чертежа.


Блок-схема TL431, взятая из даташита.

У TL431 длинная история: он был выпущен еще в 1978 [2] году и с тех пор побывал во множестве устройств. Он помогал стабилизировать напряжение в блоке питания для Apple II, а сейчас используется в большинстве ATX блоков питания [3] и даже в зарядных устройствах для iPhone и прочих девайсов. И MagSafe-коннекторы, и адаптеры для ноутбуков, и микрокомпьютеры, LED драйверы, блоки питания для аудиотехники, видеоприставки, телевизоры [4]. Во всей этой электронике присутствует TL431.

Фотографии ниже показывают TL431 внутри шести различных БП. TL431 выпускается самых разных форм и размеров. Два наиболее популярных форм-фактора показаны ниже. [5] Возможно, причина того, что TL431 не привлекает особого внимания, заключается в том, что он больше похож на обычный транзистор чем на микросхему.


Шесть примеров схем БП, использующих TL431. Верхний ряд: дешёвый 5-вольтовый БП, дешёвое ЗУ для телефона, ЗУ для Apple iPhone (на фото можно еще заметить GB9-вариацию). Нижний ряд: MagSafe адаптер, ЗУ KMS USB, Dell ATX БП (на переднем плане — оптопары)

Как же радиоэлектронные компоненты выглядят в кремнии?


TL431 очень простая микросхема, и вполне возможно понять её логику на кремниевом уровне пристальным изучением фото. Я покажу, каким же образом транзисторы, резисторы, перемычки и конденсаторы реализованы. А затем уже проведу полный реверс-инжиниринг данной микросхемы.

Реализация транзисторов различных типов


Микросхема использует как n-p-n, так и p-n-p биполярные транзисторы (в отличие от микросхем навроде 6502, в которых использовались MOSFET). Если вы изучали электронику в школе или в университете, вы возможно видели схему n-p-n транзистора (вроде той, что ниже), на которой показаны коллектор (обозначен как C), база (B) и эмиттер (E). Транзистор изображен в виде своеобразного бутерброда с P-слоем между двумя N-слоями, такое расположение слоёв характеризует транзистор как n-p-n. Однако, выясняется, что в микросхеме нет совершенно ничего схожего с этой схемой. Даже база находится не в центре!

Символьное обозначение и структура n-p-n транзистора.

На фотографии ниже можно рассмотреть один из транзисторов TL431. Цветовые различия в розовых и фиолетовых регионах вызваны разным легированием кремния, для формирования N и P областей. Светло-желтые области — металлический слой микросхемы, располагающийся поверх кремниевого. Такие области нужны для обеспечения возможности подключения проводников к коллектору, эмиттеру и базе.

В нижней части фотографии нарисовано поперечное сечение, примерно изображающее как конструируется транзистор. [6] Можно заметить, что на нём куда больше деталей, чем в n-p-n бутерброде из книг, Однако, если внимательно присмотреться, то в поперечном сечении под эмиттером (E) можно найти то самое n-p-n, которое формирует транзистор. Проводник эмиттера соединяется с N+ кремнием. Под ним располагается P-слой, подключенный к контакту базы. Еще ниже — слой N+, соединенный с коллектором (не напрямую). [7] Транзистор заключен в P+ кольцо для изоляции от соседних компонентов. Так как большинство транзисторов в TL431 принадлежат к n-p-n типу, то, после того как разобрались в первый раз, их очень просто находить на фотографии и определять нужные контакты.


n-p-n транзистор из фотографии кристалла TL431, и его структура в кремнии.

Выходной n-p-n транзистор намного больше остальных, так как ему необходимо выдерживать полную нагрузку по току. Большинство транзисторов работает с микроамперами, а этот выходной транзистор поддерживает ток до 100 миллиампер. Для работы с такими токами он и сделан более крупным (занимает 6% всего кристалла), и имеет широкие металлические коннекторы на эмиттере и коллекторе.

Топология выходного транзистора сильно отличается от других n-p-n транзисторов. Он создаётся, так сказать, боком, планарная структура вместо глубинной, и база располагается между эмиттером и коллектором. Металл слева подсоединён к десяти эмиттерам (синеватый кремний N-типа), каждый из которых окружен розовым P-слоем, который является базой (средний проводник). Коллектор (правая часть) имеет только один большой контакт. Проводники эмиттера и базы образуют вложенную «гребёнку». Обратите внимание, что металл коллектора становится шире сверху вниз для того, чтобы поддерживать большие токи на нижней части транзистора.



Транзисторы p-n-p типа имеют совершенно другое строение. Они состоят из округлого эмиттера (P), окруженного кольцом базы (N), которую, в свою очередь, обступает коллектор (P). Таким образом, получается горизонтальный бутерброд, вместо обычной вертикальной структуры n-p-n транзисторов. [8]

Схема снизу показывает один из таких p-n-p транзисторов, а поперечное сечение изображает кремниевую структуру. Стоит отметить то, что хотя металлический контакт для базы находится в углу транзистора, он электрически соединен через N и N+ области с активным кольцом, пролегающим между коллектором и эмиттером.


Структура p-n-p транзистора.

Реализация резисторов в микросхеме


Резисторы являются ключевым компонентом почти в любой аналоговой схеме. Они реализованы как длинная полоса легированного кремния. (Похоже, что в этой микросхеме использовался кремний P-типа). Различные сопротивления достигаются использованием различной площади материала — сопротивление пропорционально площади.

Снизу заметно три резистора — их формируют три длинных горизонтальных полоски кремния. Желтоватые металлические проводники проходят через них. Места соединения металлического слоя и резистора выглядят как квадраты. Расположение этих контактов и задаёт длину резистора и, соответственно, его сопротивление. К примеру, сопротивление нижнего резистора немного больше остальных потому, что контакты расположены на большем расстоянии. Верхние два резистора объединены в пару металлическим слоем сверху слева.


Резисторы.

Резисторы в микросхемах имеют очень плохой допуск — сопротивление может различаться на 20% между микросхемами из-за вариаций в производственном процессе. Очевидно, что это серьезная проблема для таких точных микросхем, как TL431. Поэтому TL431 спроектирован таким образом, что важной характеристикой является не конкретное сопротивление, а отношение сопротивлений. Конкретные значения сопротивлений не сильно важны, если сопротивления меняются в одной пропорции. Вторым методом уменьшения зависимости от эффекта изменчивости является сама топология микросхемы. Резисторы располагаются на параллельных дорожках одинаковой ширины для снижения эффекта от любой асимметрии в сопротивлении кремния. Кроме того, они размещены рядом друг с другом для минимизации отклонений в свойствах кремния между разными частями микросхемы. Помимо всего этого, в следующей главе я расскажу о том, как перед корпусированием кристалла можно настроить сопротивления для регулирования производительности микросхемы.

Кремниевые перемычки для настройки сопротивлений


Вот чего я не ожидал в TL431, так это перемычек для подстройки сопротивлений. Во время производства микросхем эти перемычки могут быть удалены для того, чтобы отрегулировать сопротивления и повысить точность микросхемы. На некоторых более дорогих микросхемах есть сопротивления, которые могут быть удалены лазером, просто выжигающим часть резистора перед корпусированием. Точность настройки таким методом куда выше чем у перемычек.

Цепь с перемычкой показана на фото снизу. Она содержит параллельных два резистора (на фото они выглядят как один элемент) и перемычку. В обычном состоянии, эта перемычка шунтирует резисторы. При изготовлении микросхемы, её характеристики могут быть замерены, и если требуется большее сопротивление, то два щупа подсоединяются к площадкам и подаётся высокий ток. Этот процесс сжигает перемычку, добавляя немного сопротивления цепи. Таким образом, сопротивление всей схемы может быть немного подкорректировано для улучшения характеристик микросхемы.


Перемычка для настройки сопротивления

Конденсаторы


TL431 содержит всего два внутренних конденсатора, но они выполнены в двух совершенно разных манерах.

Первый конденсатор (под текстом «TLR431A») сформирован обратносмещенным диодом (красноватые и фиолетовые полосы). У инверсного слоя в диоде есть ёмкостное сопротивление, которое может быть использовано для формирования конденсатора (подробнее). Главное ограничение такого типа конденсаторов в том, что ёмкостное сопротивление разнится в зависимости от напряжения, потому что меняется ширина инверсного слоя.


Конденсатор, образованный p-n переходом. Вендорная строка написана с помощью металла, нанесенного поверх кремния.

Второй конденсатор сконструирован совершенно другим методом, и больше похож на обычный конденсатор с двумя пластинами. Даже не на что поглядеть — он состоит из большой металлической пластины с подложкой из N+ кремния в качестве второй пластины. Для того чтобы уместиться рядом с другими частями цепи, он имеет неправильную форму. Данный конденсатор занимает около 14% площади кристалла, иллюстрируя то, что конденсаторы в микросхемах очень неэффективно используют пространство. В даташите упоминается, что оба конденсатора по 20 пикоФарад, но я не знаю насколько этому можно верить.


Конденсатор.

Реверс-инжиниринг TL431



Промаркированный кристалл TL431.

На схеме сверху выделены и поименованы элементы на кристалле, и затем перенесены на чертеж снизу. После всех разъяснений ранее, я думаю, структура любого элемента должна быть ясна. Три пина микросхемы подсоединены к площадкам «ref», «anode» и «cathode». Микросхема имеет один уровень металлизации (светло-желтый) для соединения компонентов. На чертеже сопротивление задаётся относительно неизвестного R. Наверное, 100 Ом вполне подходит, но я не знаю точного значения. Самым большим сюрпризом было то, что характеристики элементов сильно отличились от тех, что были опубликованы ранее в других схемах. Данные характеристики фундаментально сказываются на том, как в целом работает стабилитрон с напряжением запрещённой зоны. [9]


Чертеж TL431

Как работает микросхема?


Работа TL431 извне выглядит довольно незатейливо — если на контакт «ref» подаётся напряжение выше 2.5 вольт, то выходной транзистор проводит ток между катодом и анодом. В блоке питания это увеличивает ток, идущий к управляющей микросхеме (косвенно), и влечёт за собой уменьшение мощности БП, после чего происходит спад напряжения до нормального уровня. Таким образом, БП используют TL431 для того, чтобы стабильно держать необходимое выходное напряжение.

Наиболее интересная часть микросхемы это источник опорного напряжения, равного ширине запрещённой зоны. [10]. Ключевые элементы видны на фото кристалла: область эмиттера транзистора Q5 в 8 раз больше чем у Q4, поэтому два транзистора по-разному реагируют на температуру. Выходные сигналы с транзисторов объединяются через резисторы R2, R3, R4 в нужной пропорции для компенсации температурных эффектов, и формируют стабильный опорный сигнал. [11] [12]

Напряжения из стабилизированного по температуре бандгапа посылаются в компаратор, входом которого являются Q6 и Q1, а Q8 и Q9 управляют им. Наконец, выход компаратара проходит через Q10 для управления выходным транзистором Q11.

«Открываем» микросхему низко-технологичным методом


Получение фотографии кристалла микросхемы обычно требует её растворения в опасных кислотах, и фотографирование самого кристалла с помощью дорогого металлографического микроскопа. (Zeptobars описывал этот процесс здесь). Мне было интересно что получится, если я просто разломаю TL431 зажимными щипцами и взгляну на него в дешёвый микроскоп. В процессе я переломил кристалл пополам, но всё равно получил интересные результаты. На изображении виден большой медный анод внутри корпуса, который еще работает и как радиатор. Рядом с ним кристалл (по крайней мере, большая его часть), который был установлен на аноде внутри белого круга. Заметили, насколько сам кристалл меньше своего корпуса?


Корпус TL431, внутренний анод и большая часть от кристалла.

Используя простой микроскоп, я получил фото снизу. Несмотря на то, что, очевидно, я не получил такого же качественного снимка как у Zeptobars, структура микросхемы видна значительно лучше чем я ожидал. Данный эксперимент показывает, что вы можете проводить снятие корпуса микросхем и фотографирование кристалла даже не касаясь разных опасных кислот. Сравнивая свой снимок дешевого TL431, заказанного на eBay, с TL431, сфотографированного Zeptobars, вижу их идентичность. Так как его микросхема не совпадает с опубликованными чертежами, то я гадаю, не прекратили ли они в определенный момент производство того странного варианта микросхемы. Но думаю, что это предположение неверно.


Кусок кристалла, сфотографированный через микроскоп.

Заключение


На самом ли деле TL431 наиболее распространенная микросхема о которой не слышали люди? Нет надежного способа проверить, но я думаю что это хороший кандидат. Похоже, никто не публиковал данные, в которых другая микросхема была бы произведена в больших количествах. Некоторые источники утверждают что таймер 555 является наиболее распространенной микросхемой с миллиардными тиражами каждый год (не очень мне верится в такое большое число). Но TL431 точно располагается достаточно высоко в списке по распространенности. Вы, скорее всего, имеете TL431 в каком-то устройстве на расстоянии вытянутой руки прямо сейчас (ЗУ для телефона, адаптер питания для ноутбука, блок питания PC или монитора). Разница между 555 или 741 и TL431 в том, что эти микросхемы настолько широко известны, что уже стали чуть ли не частью поп-культуры — книги, майки и даже кружки. Но если вы не работаете с блоками питания, достаточно высоки шансы, что вы никогда и не слышали о TL431. Таким образом, я отдаю свой голос TL431 в такой странной номинации. Если у вас есть какие-то другие варианты микросхем, которые незаслуженно обошли вниманием, оставляйте комментарии.

Признательности


Снимки кристалла сделаны Zeptobars (за исключением моего). Чертёж и анализ основываются на работе Cristophe Basso [12] Кроме того, я значительно улучшил свой анализ с помощью дискуссий с Михаилом из Zeptobars и Visual 6502 group, в частности B. Engl.

Заметки и ссылки


1. Из-за того, что у TL431 не самая обычная функция, стандартного названия для элемента такого рода не существует. Разные даташиты дают такие имена: «регулируемый шунтирующий стабилизатор», «программируемый прецизионный источник опорного напряжения», «программируемый шунтирующий источник опорного напряжения», «программируемый стабилитрон».

2. Я раскопал истоки возникновения TL431 в Voltage Regulator Handbook, опубликованным Texas Instruments в 1977 году. Предшественником этой микросхемы был TL430, выпущенный как регулируемый шунтирующий стабилизатор в 1976. TL431 был создан в том же 1976 как обновление для TL430 с улучшенной точностью и стабильностью, и поэтому был назван как регулируемый прецизионный шунтирующий стабилизатор. В 1977 его анонсировали как один из будущих продуктов TI, а выпустили в продажу уже в 1978. Другим анонсом являлся TL432, который должен был бы называться «Компоновочный блок из таймера/стабилизатора/компаратора» и состоять из источника опорного напряжения, компаратора и транзисторного усилителя, согласно предварительному даташиту. Но на момент выпуска TL432, план по предоставлению «компоновочных блоков» был забыт. TL432 превратился в аналог TL431 с другими расположением контактов для более удобной разводки плат (даташит).

3. Современные ATX блоки питания (пример раз, пример два) зачастую содержат по три TL431. Один для обратной связи при резервном питании, второй для обратной связи в основной схеме питания, а третий берётся в качестве линейного регулятора для 3.3В выходного напряжения.

4. Интересно взглянуть на импульсные БП, которые не используют TL431. Более ранние модели использовали опорный стабилитрон в качестве источника опорного напряжения. Например, такое практиковалось в первых экземплярах блоков питания для Apple II (Astec AA11040), но вскорости в них сделали замену стабилитрона на TL431 — Astec AA11040, ревизия B. В Commodore CBM-II, модель B, применялось необычное решение — TL430 вместо TL431. Оригинальный блок питания для IBM PC использовал опорный стабилитрон (вместе с кучей операционных усилителей). Позднее БП для PC часто использовали ШИМ-контроллер TL494, который уже содержал источник опорного напряжения для вторичной цепи. Другие БП могли содержать SG6105, уже включающий в себя два TL431.
В зарядных устройствах для телефонов обычно применяют TL431. Редко можно встретить дешёвую подделку этого элемента: проще взять опорный стабилитрон вместо него и сэкономить пару центов. Другим исключением могут являться такие зарядные устройства, как для iPad'a. В них реализована стабилизация в первичной цепи и не требуется совсем никакой обратной связи от выходного напряжения. В своей статье про блоки питания я описал это подробнее.

5. TL431 доступен в большем числе вариантов корпуса чем я думал. На двух фотографиях TL431 выполнен в «транзисторном» корпусе с тремя ножками (TO-92). На остальных фотографиях показан SMD-вариант в SOT23-3. TL431 также может быть в 4-контактном, 5-контактном, 6-контактном и 8-контактном SMD-корпусе (SOT-89, SOT23-5, SOT323-6, SO-8 или MSOP-8). Кроме того, его можно встретить в более крупном варианте TO-252 или даже в виде 8-контактного микросхемы (DIP-8). (картинки).

6. Более детальную информацию о том, как устроен в кремнии биполярный транзистор, можно найти много где. Semiconductor Technology даёт неплохой обзор об устройстве n-p-n транзистора. Презентация Basic Integrated Circuit Processing очень детально описывает производство микросхем. Даже схемы с википедии очень интересны.

7. Возможно, вы гадаете, почему это идёт терминологическое разделение на коллектор и эмиттер, если в нашей простой схеме транзистора они абсолютно симметричны? Ведь оба подключаются к N-слою, чему там различаться? Но как можете видеть на фото кристалла, коллектор и эмиттер не только сильно отличаются по размеру, но и легирование проходит по-разному. Если поменять коллектор и эмиттер местами, по у транзистора будет очень слабый коэффициент передачи.

8. p-n-p транзисторы в TL431 имеют круговую структуру, которая их очень сильно отличает от n-p-n. Эта круговая структура проиллюстрирована в книге Designing Analog Chips от Hans Camenzind, автора таймера 555. Если вы хотите узнать больше о том, как работают аналоговые микросхемы, то я рекомендую эту книгу, в которой детально разъясняется этот вопрос с минимумом математики. Бесплатный PDF или бумажная версия.
Кроме того, о структуре p-n-p транзисторов можно почитать в «Principles of Semiconductor». А книга «Analysis and Design of Analog Integrated Circuits» рассказывает о детальных моделях биполярных транзисторов и о том, как они имплементируются в микросхемах.

9. Транзисторы и резисторы на кристалле, который я исследовал, имеют совершенно другие характеристики по сравнению с теми, что публиковались ранее. Эти характеристики фундаментально задают работу стабилитрона с напряжением запрещённой зоны. Конкретно говоря, на предыдущих схемах R2 и R3 были в отношении 1 к 3, а у Q5 зона эмиттера была в два раза больше чем у Q4. Глядя на фото кристалла, я вижу что R2 и R3 имеют одинаковое сопротивление, а Q5 имеет зону эмиттера в 8 раз большую по сравнению с Q4. Исходя из таких отношений между характеристиками, мы получим другое ΔVbe. Для того чтобы компенсировать разницу между фактическими характеристиками и вычисленными, в прошлых схемах R1 и R4 так же были сделаны иными чем на кристалле. Я разъясню этот момент более подробно дальше в статье, но просто отмечу: Vref = 2*Vbe + (2*R1+R2)/R4 * ΔVbe должно быть около 2.5 вольт. Обратите внимание, важно не конкретное сопротивление резисторов, а именно их отношения. Как я писал ранее, это помогает нейтрализовать плохой допуск резисторов в микросхеме. На кристалле Q8 сформирован из двух параллельных транзисторов. Но я не могу понять, что стоит за этим странным решением. Я ожидал, что Q8 и Q9 будут идентичны, чтобы построить сбалансированный компаратор. Моя основная теория заключается в том, что это сделано для настройки опорного напряжения, чтобы оно достигало 2.5В. B. Engl предположил, что это могло помогать устройству лучше работать при низком напряжении.

10. Я не буду здесь углубляться в детали реализации стабилитрона с напряжением запрещённой зоны, разве упомяну что пусть его название и звучит как имя какого-то безумного квантового устройства, но, на самом деле, это просто пара транзисторов. Чтобы разобраться в том, как работает данный стабилитрон, можете поглядеть статью «How to make a bandgap voltage reference in one easy lesson» за авторством Paul Brokaw, изобретателя одноименного стабилитрона опорного напряжения. Кроме того есть еще такая презентация.

11. В известном смысле, цепь бандгапа в TL431 работает в противоположном направлении, по сравнению с обычным бандгапом, который подводит к эмиттеру правильные напряжения, чтобы получить на выходе необходимое значение. TL431 же берёт опорное напряжение в качестве входного, а эмиттеры использует как входные сигналы для компаратора. Другими словами, в противоположность блок-схеме, внутри TL431 входной «ref» сигнал не сравнивается ни с каким стабильным опорным напряжением. Вместо этого, вход «ref» генерирует два сигнала для компаратара, которые совпадают если входное напряжение 2.5 вольта.

12. Существует много статей о TL431, но они все с уклоном в матан и ожидают от читателя каких-либо начальных знаний по теории автоматического управления, графикам Боде, и так далее. «The TL431 in Switch-Mode Power Supplies loops» — классическая статья от Christophe Basso и Petr Kadanka. Она объясняет работу TL431 в цепи компенсации обратной связи в действующих блоках питания. Книжка содержит детальные чертежи и описания внутреннего устройства элемента. Еще есть интересные статьи на powerelectronics.com. В статье «Designing with the TL431» от Ray Ridley, для Switching Power Magazine, содержится подробное объяснение того, как использовать TL431 в цепях обратной связи для БП и так же объясняется работа компенсатора. Можно обратить внимание на презентацию «The TL431 in the Control of Switching Power Supplies» от ON Semiconductor. Конечно же, даташит тоже содержит чертежи внутреннего устройства микросхемы. Странно, но сопротивления на этих чертежах отличаются от тех, что я получил, исследуя фото кристалла.
Поделиться публикацией
Похожие публикации
AdBlock похитил этот баннер, но баннеры не зубы — отрастут

Подробнее
Реклама
Комментарии 30
  • +2
    Спасибо за перевод, тоже хотел перевести — но никак не находилось времени :-)
    • +5
      Пересёкся с Кеном по одному вопросу, а потом зашёл в его блог, а там статьи интересные ;)
      Выбрал пачку на перевод (~20, большая часть как раз про reverse-engineering), буду пилить потихоньку.
    • +4
      интересной, но малоизвестной, микросхемы TL431

      Малоизвестной? о_О
      Для людей не увлекающихся — возможно, но им и 555й неизвестен, и всё остальное просто буковки.

      А перевод отличный!
      • +3
        Видать я не так уж и сильно увлекаюсь электроникой :).
        • +1
          Мне известны 555й, всякие там 74xx, LM317, MC34063, IR2153, TL494 (ну это только то, что паял), но о TL431 почему-то прочитал сейчас первый раз. Так что таки да, малоизвестная штучка.
        • +8
          Простите за занудство, но тут будет список стилистических претензий к переводу терминов.

          «Используя участок цепи, называемый бандгапом» — вот тут ладонь сама потянулась к лицу.
          По-русски это будет «схема, называемая источником напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния». «Бэндгап» — это профессиональный сленг, совершенно недопустимый в статье, которую будут читать люди, не знающие, что это такое.

          «схему n-p-n транзистора (вроде той, что ниже)» — у транзистора нет схемы, у него есть изображенный на картинке символ. А эквивалентная схема транзистора выглядит совсем не так.

          «Он создаётся, так сказать, боком, планарная структура, вместо глубинной, и база располагается между эмиттером и коллектором.» — перед «вместо» не нужна запятая, а реализации транзистора по-русски называются «вертикальная» и «горизонтальная», а не «планарная» и «глубинная».

          «метал коллектора» — либо скажите, кто и куда метал коллектора (я понимаю, их никто не любит), либо пишите «металл».

          «большие тока» — токи.

          «сопротивления, которые могут быть удалены лазером» — не «удалены», а «подстроены».

          «ёмкостное сопротивление разнится» — просто изменяется. Зачем изобретать там, где нужно просто перевести?

          «стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий» — стабилитрон не имеет отношения к этой схеме. Это просто фактическая ошибка, безо всяких скидок.

          В итоге имеем то, что отличная статья, прекрасно читаемая в оригинале непрофессионалами, сильно запутана и по факту погублена для научпопа человеком, который, начиная перевод, не удосужился узнать, как те или иные термины переводятся на русский язык. Учите матчасть, пожалуйста!
          • +6
            Только приветствую.
            1. «Бандгап», в начале я посчитал излишним писать такие длинные названия, тем более если люди не знают что такое бандгап, то не думаю, что ваш «схема, называемая источником напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния» будет понятнее :) Я, кстати, использовал пару раз именно канонический термин, а не сленг, но связи между ними не провёл, да. fixed.
            2. «а реализации транзистора по-русски называются «вертикальная» и «горизонтальная»» — как в этом фрагменте? «Таким образом, получается горизонтальный бутерброд, вместо обычной вертикальной структуры n-p-n транзисторов.». Это я к тому, что мне знакомы термины, но в данном случае хотелось их разъяснить более понятно. Возможно не получилось.
            3. «Металл», «тока» — fixed.
            4. «стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий» — согласен.

            > не удосужился узнать, как те или иные термины переводятся на русский язык
            Отличный вывод по тому, что я использовал сленговое бандгап вместо разворачивание термина в русскую простыню.

            PS: русские термины, я действительно не очень здорово знаю, англоязычные более привычны. Тем не менее кроме спорного бандгапа, не думаю, что есть серьезные отступления от терминологии. Я обычно старался проверять перевод, забивая варианты в гугл и смотря релевантны ли страницы. Но в любом случае, постараюсь учесть.
            • +2
              Простите за излишнюю резкость, я что-то погорячился с оценкой, хотя в самом деле очень хорошо видно, что статья — это почти дословный перевод (чего с хорошими переводами обычно не случается).

              С бэндгапом идея была в том, что bandgap и «источник напряжения, равного ширине запрещенной зоны кремния» можно загуглить, если интересно, или почитать в учебнике (если вы, допустим, когда-то давно учились электронике, но все забыли), а загуглив «бапдгап», ничего внятного получить нельзя. Но на самом деле какой-то добрый человек написал на википедию статью под названием «бандгап», и довольно крутую, так что тут неправ оказался я, а не вы.

              Про реализации транзистора претензия тогда в том, что нет единообразия, и обычному человеку неоткуда знать, что «горизонтальный» и «планарный» — это одно и то же. Надо все-таки чуть-чуть аккуратнее относиться к таким вещам, а то может вылезти еще один стабилитрон.

              А с русскими терминами история такая, что они сейчас в основном в учебниках остались, но все равно в печатном тексте на русском надо пользоваться ими, иначе весь смысл перевода пропадает.
            • +4
              Добавлю — микроскоп металлографический, а не металлургический.
          • 0
            Отличная работа и статья!
            Сам учился на технолога по разработке и прозводству чипов. Правда по специальности ни дня не довелось поработать.
            Автору респект.
            • +1
              Если у вас есть какие-то другие варианты микросхем, которые незаслуженно обошли вниманием, оставляйте комментарии.

              78xx, в частности 7805.
              • +1
                Во времена шины ISA и простых VGA этот чип TL431 стоял рядом с каждым RAMDAC-ом. Сколько их продалось — не ведаю, но наверняка более сотни миллионов.
                • 0
                  И в блоках питания того времени на TL494.
                  • 0
                    Угу, это есть в примечаниях.
                    • 0
                      Позвольте не согласится. Ни в «классических» IBM ни в тайваньских компьютерных БП того времени на TL494 чип TL431 не применялся или применялся крайне редко. Пруф — книжка Головко и Любицкого «Блоки питания...» (неплохая кстати). Максимум, там стоит компаратор LM393 на защите.

                      Другое дело — маломощные однотактные БП для всяких сканеров, принтеров, драйвов и т.д. на UC3842 и подобных. Там TL431 является важнейшим элементом схемы регулирования и включен последовательно с оптроном обратной связи. А мелких блоков питания было выпущено даже больше, чем компьютерных т.к. у каждого компьютера есть 2..3 или больше периферии с БП.
                      • 0
                        В дежурке этих БП всегда 431 стояла.
                        • 0
                          Да, но «дежурка» — это ведь уже разъем БП ATX, PCI и вероятно формфактор мамки ATX и процессор PII. Это чуть позднее ISA, год 1995-1997. Да, таких БП тоже было изготовлено сотни миллионов если не миллиарды.
                          • 0
                            ATX с 494 я еще видел в 2007, а может и позже в совсем дешевых моделях.
                  • +1
                    Мне кажется что 555-й не так и много где используется. Покрайне мере lm358 и т.п. более используемые :)
                    • 0
                      В радиолюбительских поделках повсеместно. В мейнстриме да, очень редко.
                      • +2
                        [sarcasm]Сегодня как раз мимолётом воспользовался К555ЛИ3.[/sarcasm] :D
                      • 0
                        Первый конденсатор (под текстом «TLR431A») сформирован обратносмещенным диодом

                        Интересно! Тогда получается, что этот диод кроме того соединяется со схемой через блокирующий конденсатор? (чтобы изолироваться от напряжения смещения) Т.е. там есть еще мини-конденсатор? (а может и не один по всей схеме)

                        Резисторы являются ключевым компонентом почти в любой аналоговой схеме. Они реализованы как длинная полоса легированного кремния.

                        Слышал, что большие сопротивления делают также на полевых транзисторах.
                        • +1
                          Конденсатор между базой и коллектором транзистора, а на базе напряжение всегда меньше, чем на коллекторе или во всяком случае не больше, чем на напряжение открытого эмиттерного перехода (причем последнее — явно не нормальный режим). Так что во всем этом диапазоне диод будет закрыт.
                          • +1
                            А, я понял! Если зафиксировать напряжение на коллекторе (например, каскод), то этот самый обратносмещенный диод будет иметь константную емкость.
                            • +3
                              Ну да, в это-то вся и соль использования конденсатора такой нетипичной конструкции на данном участке цепи — константное напряжение.
                              В статье этот момент вскользь упомянут. Если бы напряжение менялось бы, то и инверсный слой гулял бы, что явно мешало бы стабильности.
                              • 0
                                Весьма остроумное решение с диодом!
                          • +1
                            В современных технологиях довольно много способов сделать резистор. Из транзистора его делать относительно сложно, потому что надоточень точно контролировать напряжение на затворе для этого.
                            На относительно небольших проектных нормах удобнее всего, наверное, из несилицидированного поликремния набрать.
                            А вообще в любой аналоговой схеме резисторы и конденсаторы большую часть площади съедают.
                          • +3
                            5 копеек, вынесенные с лекций по технологии производства, где я не оказался-бы даже работая по специальности.
                            8. p-n-p транзисторы в TL431 имеют круговую структуру, которая их очень сильно отличает от n-p-n.

                            Про реализации транзистора претензия тогда в том, что нет единообразия, и обычному человеку неоткуда знать, что «горизонтальный» и «планарный» — это одно и то же.

                            Разница между горизонтальным и вертикальным вариантом транзисторов довольно велика — это достижимая толщина базового слоя, а значит — частотные свойства. У вертикальных базу технологически можно сделать тоньше и получить лучшие частотные свойства. От этого момента перейдём к…
                            Различию транзисторов разной структуры, n-p-n и p-n-p, с точки зрения того, какой материал подложки наиболее распространён для выращивания. А наиболее распространён — p-субстрат, что приводит к тому, что желая получить p-n-p транзистор вертикальной структуры мы будем должны сделать лишнюю операцию фотолитографирования (а может и две?) и имплантации примесей.
                            Вот так у кремниевых технологов появляется много параметров для манёвра в плане характеристи-стоимость.

                            P.S. Например у почившей в бозе «NSC», во многих документах особенно подчёркивается как преимущество конкретной ИМС то, что она
                            Using an optimized VIPTM (Vertically Integrated PNP) process, the LP2985 delivers unequalled performance in all specifications critical to battery-powered designs:

                            Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.